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怎樣挑選溫度傳感器
怎樣挑選溫度傳感器

溫度傳感器(temperaturetransducer)是指能感受溫度并轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的傳感器。溫度傳感器是溫度測(cè)量?jī)x表的核心部分,品種繁多。按測(cè)量方式可分為接觸式和非接觸式兩大類(lèi),按照傳感器材料及電子元件特性分為熱電阻和熱電偶兩類(lèi)。如果要進(jìn)行可靠的溫度測(cè)量,首先就需要選擇正...

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2024

11.22
  • 晶圓測(cè)試技術(shù)

    晶圓探針測(cè)試也被稱為中間測(cè)試(中測(cè)),是集成電路生產(chǎn)中的重要一環(huán)。晶圓探針測(cè)試的目的就是確保在芯片封裝前,盡可能地把壞的芯片篩選出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單,它不僅是節(jié)約芯片封裝成本的一種方法,現(xiàn)今已成為工藝控制、成品率管理、產(chǎn)品質(zhì)量以及降低總測(cè)試成本的一個(gè)關(guān)鍵因素。晶圓探針測(cè)試主要設(shè)備有探針測(cè)試臺(tái),探針測(cè)試機(jī),探針測(cè)試卡三部分,全部由測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用測(cè)試程序來(lái)執(zhí)行測(cè)試。探針測(cè)試臺(tái)可分為手動(dòng)、半自動(dòng)/全自動(dòng)探針臺(tái),主要負(fù)責(zé)探針測(cè)試卡的探針和晶圓上的每個(gè)晶粒上...

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    2023

    11.23
  • 芯片的測(cè)試方法

    半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程包括晶圓制造和封裝測(cè)試,在這兩個(gè)環(huán)節(jié)中分別需要完成晶圓檢測(cè)(CP,CircuitProbing)和成品測(cè)試(FT,FinalTest)。無(wú)論哪個(gè)環(huán)節(jié),要測(cè)試芯片的各項(xiàng)功能指標(biāo)均須完成兩個(gè)步驟:一是將芯片的引腳與測(cè)試機(jī)的功能模塊連接起來(lái),二是通過(guò)測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào),并檢測(cè)輸出信號(hào),判斷芯片功能和性能是否達(dá)到設(shè)計(jì)要求。CP測(cè)試在整個(gè)芯片制作流程中處于晶圓制造和封裝之間,測(cè)試對(duì)象是針對(duì)整片晶圓(Wafer)中的每一個(gè)Die,目的是確保整片(Wafer)中的每一...

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    2023

    11.23
  • 閉合回路在均勻磁場(chǎng)中的變化

    設(shè)有一均勻磁場(chǎng),磁力線方向垂直向下,開(kāi)始時(shí)閉合回路僅有一部分處于磁場(chǎng)中,然后將回路向左移動(dòng),回路中就有感生電流,將回路中出現(xiàn)相反的感生電流。如改用一個(gè)非常小的閉合回路在磁場(chǎng)內(nèi)移動(dòng),并使它在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不離開(kāi)磁場(chǎng)的均勻區(qū)域,這時(shí)在此線圈并無(wú)感生電流產(chǎn)生。假如使閉合回路繞垂直于磁場(chǎng)的軸線轉(zhuǎn)動(dòng),回路中也有感生電流產(chǎn)生,其方向與轉(zhuǎn)動(dòng)情況有關(guān)。事實(shí)說(shuō)明,回路中感生電流與穿過(guò)回路的磁場(chǎng)的變化有關(guān)。

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    2023

    11.20
  • 真空環(huán)境的獲得方式

    真空環(huán)境是很多精密設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的前提條件,由于目前自然真空的利用十分困難,因此一般通過(guò)真空泵獲取真空環(huán)境。用來(lái)獲得、改善、維持真空的裝置稱為真空泵。一般來(lái)說(shuō),為了獲得高真空、超高真空及ji高真空,有時(shí)還要采用多臺(tái)真空泵構(gòu)成機(jī)組來(lái)完成抽氣任務(wù)。因此,了解各種真空泵的工作原理、主要性能、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)等,對(duì)于正確選擇經(jīng)濟(jì)適用的真空泵是非常重要的。zui常用的真空泵就是機(jī)械泵,它通過(guò)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn),將空氣從吸氣口吸入,然后從出氣口排出。機(jī)械泵能夠達(dá)到的真空度大概為1Pa。但是這樣的真空度還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不...

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    2023

    11.20
  • 影響真空環(huán)境的因素

    真空環(huán)境的獲得比較困難,尤其是超高真空環(huán)境,其中主要的影響因素有以下幾點(diǎn):1.部件生產(chǎn)過(guò)程中,其表面不可避免的會(huì)附著金屬碎屑和灰塵,因此在進(jìn)行抽空作業(yè)前,必須對(duì)部件表面進(jìn)行清潔,以保證環(huán)境盡快達(dá)到所需要求。2.在溫度和壓力的作用下,所有物質(zhì)都可以通過(guò)冷凝和蒸發(fā)在固液氣三種狀態(tài)下變化,因此物質(zhì)的聚集狀態(tài)對(duì)真空環(huán)境的影響巨大。3.吸附在部件表面的氣體在真空環(huán)境下會(huì)被解吸,之后逸到真空環(huán)境中,影響真空系統(tǒng)、另外真空系統(tǒng)通常由不同的密封件連接在一起,由于密封質(zhì)量的不同,因此整體的漏率...

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    2023

    11.20
  • JZM-D30室溫探針臺(tái)技術(shù)參數(shù)

    概況:錦正茂JZM-D30室溫探針臺(tái)的諸多設(shè)計(jì)都是專用的,探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。例如,要求的磁場(chǎng)型號(hào),電源型號(hào),磁場(chǎng)值,樣品臺(tái)的尺寸等,除此之外,該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙極性恒流電源搭配使用,可以提高磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。因此,該類(lèi)型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。技術(shù)參數(shù):※磁場(chǎng)型號(hào):EM3加長(zhǎng)版※電源型號(hào):JP10-40,優(yōu)于50ppm※磁場(chǎng)值:1000Gs@60mm間距※磁場(chǎng)分辨率:優(yōu)于0.1Gs※三維探針座:高精度三維探針座4個(gè)...

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    2023

    11.20
  • 真空技術(shù)專業(yè)名詞解析

    在真空科學(xué)與技術(shù)中,“真空”詞被理解為低于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的氣體狀態(tài)。這種狀態(tài)同正常的大氣狀態(tài)相比較,氣體較為稀薄,即單位體積內(nèi)的分子數(shù)目較少,分子之間或分子與其它粒子(如電子、離子)之間的碰撞幾率減少,分子在單位時(shí)間內(nèi)碰撞于單位表面積(如器壁)上的次數(shù)也相對(duì)減少。這些是“真空”的主要特性。真空常用帕斯卡(Pa)或托爾(Torr)作為壓力的單位(1Torr=133.3Pa)。在自然環(huán)境里,只有外太空堪稱*接近真空的空間。真空技術(shù)專業(yè)名詞1.標(biāo)準(zhǔn)大氣壓在重力加速度為980.665...

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    2023

    11.15
  • 真空的應(yīng)用

    真空對(duì)人類(lèi)主要的貢獻(xiàn)有兩點(diǎn):對(duì)基礎(chǔ)研究來(lái)說(shuō),提供了最清潔和最少受外界干擾的實(shí)驗(yàn)環(huán)境;對(duì)工業(yè)生產(chǎn)來(lái)說(shuō),則可以制造性能**、甚至自然界*所未有的材料。隨著真空技術(shù)在航空航天、光伏發(fā)電以及半導(dǎo)體等領(lǐng)域的應(yīng)用,它已經(jīng)成為工業(yè)體系*可或缺的重要技術(shù)。目前真空技術(shù)受到世界各國(guó)的重視,真空腔體、技術(shù)、材料、配件等有著廣闊的市場(chǎng)前景。高真空度真空腔體消費(fèi)群體由下游企業(yè)構(gòu)成,高真空度真空腔體主要運(yùn)用于半導(dǎo)體制造、太陽(yáng)能裝備制造、光纖制造、食品機(jī)械、真空鍍膜設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備等行業(yè)。作為北京高科技企...

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    2023

    11.15
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