高低溫探針臺(tái)T8-LY100能夠?yàn)榘雽?dǎo)體芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)80K-420K高低溫測(cè)試環(huán)境,通過外接不同的電學(xué)測(cè)量?jī)x器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數(shù)檢測(cè),用于低溫環(huán)境下的芯片、晶圓和器件的非破壞性電學(xué)測(cè)試。
技術(shù)參數(shù):
1、真空腔體約直徑260mm,
2、帶有4英寸高透射觀察窗,材質(zhì)熔融石英
3、樣品載臺(tái)直徑:50mm 樣品載臺(tái)平整度<5微米
4、溫度范圍:80K-420K,控溫儀精度:0.1-0.5K
5、X-Y-Z行程范圍:±25mm*±25mm*0-12.5mm線性運(yùn)動(dòng),位移精度:1um
6、預(yù)留光纖接入口做光響應(yīng)測(cè)試
7、預(yù)留四個(gè)探針座的接口
8、探針長(zhǎng)度38mm,直徑0.5mm,針尖直徑1um
9、兩套CCD相機(jī)(能看清1-2um)
10、耦合一套四軸應(yīng)變裝置(定制)
11、三同軸射頻接口:4只,外接三同軸連接線雙向公頭,長(zhǎng)度 2米
13、真空抽口KF50
14、重量:75kg
聯(lián)系方式
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